Лаборатория в Беркли разрабатывает фоторезист для увеличенного разрешения компьютерных схем: различия между версиями

Материал из Викиновостей, свободного источника новостей
Интерактивная навигация по истории
[непроверенная версия][непроверенная версия]
← Предыдущая правкаСледующая правка →
Содержимое удалено Содержимое добавлено
ВизуальныйВики-текст
Когда?
Примечания.
Строка 2: Строка 2:
{{Химия}}
{{Химия}}
{{дата|17 июля 2014}}
{{дата|17 июля 2014}}
<!-- [[Файл:|thumb|left|250px|]] Вставьте имя (после слова «Файл:») и описание (перед символами «]]») файла с Викисклада. -->
<!-- [[Файл:|thumb|left|250px|]] Вставьте имя (после слова "Файл: ") и описание (перед символами «]]») файла с Викисклада. -->
⚫
[[США|Американские]] [[учёные]], работающие в {{w|Национальная лаборатория имени Лоуренса в Беркли|лаборатории в Беркли}}, с помощью производителя процессоров [[Intel]] разработали новую разновидность {{w|фоторезист}}<ref>'''Фоторезист''' — вещество, используемое в частности при создании микросхем для нанесения шаблона электрических цепей и компонентов на подложку с целью получить соответствующее фотошаблону расположение окон для доступа травящих или иных веществ к поверхности обрабатываемого материала.</ref>, являющуюся смесью двух фоторезистов — с химическим усилением и без химического усиления — и превосходящую в своём качестве их оба. Разрешение фотошаблона составляет 20 нм, в отличие от 24нм и 28 нм исходных составляющих. Журнал «Нанотехнологии» ({{lang-en|[[:w:en:Nanotechnology (journal)|Nanotechnology]]}}) опубликовал статью 15 июля.
<!-- Напишите свой текст ниже этой строчки -->

⚫
Американские учёные, работающие в {{w|Национальная лаборатория имени Лоуренса в Беркли|лаборатории в Беркли}}, с помощью производителя процессоров [[Intel]] разработали новую разновидность {{w|фоторезист}}а, являющуюся смесью двух фоторезистов - с химическим усилением и без химического усиления - и превосходящую в своём качестве их оба. Разрешение фотошаблона составляет 20 нм, в отличие от 24нм и 28 нм исходных составляющих. Журнал "Нанотехнологии" ({{lang-en|[[:w:en:Nanotechnology (journal)|Nanotechnology]]}}) опубликовал статью 15 июля.


В процессе {{w|Фотолитография|фотолитографии}} фоторезист растворяется в кислоте за счёт преимущественно {{w|энтальпия|энтальпийных}} (фоторезист с химическим усилением) или {{w|энтропия|энтропийных}} (без химического усиления) механизмов. Учёные исследовали свойства смеси при разных процентных соотношениях. Оказалось, что за счёт объединения таких преимуществ, как механическая стабильность резины с {{w|оксетан}}ом (для сшивки, образования поперечных межцепных связей) и высокая светочувствительность резины с {{w|сложные эфиры|эфир}}ом (метил-адамантан {{w|метакрилат}}), достигается улучшение качества. Шероховатость края линии рисунка уменьшается с 6нм и 5.5нм для исходных составляющих до 4нм для разработанной смеси.
В процессе {{w|Фотолитография|фотолитографии}} фоторезист растворяется в кислоте за счёт преимущественно {{w|энтальпия|энтальпийных}} (фоторезист с химическим усилением) или {{w|энтропия|энтропийных}} (без химического усиления) механизмов. Учёные исследовали свойства смеси при разных процентных соотношениях. Оказалось, что за счёт объединения таких преимуществ, как механическая стабильность резины с {{w|оксетан}}ом (для сшивки, образования поперечных межцепных связей) и высокая светочувствительность резины с {{w|сложные эфиры|эфир}}ом (метил-адамантан {{w|метакрилат}}), достигается улучшение качества. Шероховатость края линии рисунка уменьшается с 6нм и 5.5нм для исходных составляющих до 4нм для разработанной смеси.
Строка 12: Строка 10:


{{haveyoursay}}
{{haveyoursay}}

{{-}}

== Примечания ==
{{примечания}}


== Источники ==
== Источники ==
Строка 20: Строка 23:
<!-- * {{источник|url=|Название=|Автор=|Издатель=|Дата=}} -->
<!-- * {{источник|url=|Название=|Автор=|Издатель=|Дата=}} -->


<!-- Добавляйте категории разделяя символом «|» -->
<!-- Добавляйте категории разделяя символом "|" -->
{{Категории|Компьютерные технологии|Нанотехнологии|Наука и технологии|США|Физика|Химия}}
{{Категории|Компьютерные технологии|Нанотехнологии|Наука и технологии|США|Физика|Химия}}


Версия от 06:58, 18 июля 2014

✓
 Эта статья помечена как нуждающаяся перед публикацией в рецензии невовлечённых редакторов. См. Викиновости:Проверка статей.

Только независимый редактор может опубликовать статью. Не следует заменять {{рецензировать}} на {{публиковать}} до тех пор, пока независимый редактор не проверит её.

Инструкция для редакторов:

  • Проверьте статью на соответствие всем правилам. Обязательно проверьте всю фактологическую информацию и отсутствие нарушения авторских прав (проверить).
  • Для публикации статьи замените {{рецензировать}} (или {{review}}) на {{публиковать}} (или {{yes}}).
  • Если статья не удовлетворяет требованиям, то замените {{рецензировать}} (или {{review}}) на {{редактируется}} (или {{develop}}) и опишите причины на странице обсуждения. Вы также можете использовать специальные шаблоны, в которых указаны конкретные недостатки.
  • Для публикации статей проекта «Многоязычность» используйте шаблон соответствующего языка и разместите новость на заглавной странице этого языка.
Другие новости химии

<dynamicpagelist> category = Опубликовано category = Химия notcategory = Викиновости коротко count = 3 orcer = addcategory suppresserrors = true namespace = Main addfirstcategorydate = true </dynamicpagelist>

Другие новости науки

<dynamicpagelist> category = Опубликовано category = Наука и технологии count = 5 orcer = addcategory suppresserrors = true namespace = Main </dynamicpagelist>

Также посетите портал «Наука»

17 июля 2014 года
Американские учёные, работающие в лаборатории в Беркли, с помощью производителя процессоров Intel разработали новую разновидность фоторезист[1], являющуюся смесью двух фоторезистов — с химическим усилением и без химического усиления — и превосходящую в своём качестве их оба. Разрешение фотошаблона составляет 20 нм, в отличие от 24нм и 28 нм исходных составляющих. Журнал «Нанотехнологии» (англ. Nanotechnology) опубликовал статью 15 июля.

В процессе фотолитографии фоторезист растворяется в кислоте за счёт преимущественно энтальпийных (фоторезист с химическим усилением) или энтропийных (без химического усиления) механизмов. Учёные исследовали свойства смеси при разных процентных соотношениях. Оказалось, что за счёт объединения таких преимуществ, как механическая стабильность резины с оксетаном (для сшивки, образования поперечных межцепных связей) и высокая светочувствительность резины с эфиром (метил-адамантан метакрилат), достигается улучшение качества. Шероховатость края линии рисунка уменьшается с 6нм и 5.5нм для исходных составляющих до 4нм для разработанной смеси.

Как сообщил Поль Эшби, научный сотрудник молекулярной литейной в лаборатории в Беркли, учёные хотят понять механизмы, позволившие добиться повышенного разрешения и низкой шероховатости линий, с целью разработки ещё более качественных резистов на основании полученных результатов. Так как используемое в лаборатории ультрафиолетовое излучение с низкой (от 124нм до 10нм) длиной волны достигнет массового использования в промышленности только к 2017 году (согласно заявлениям Intel, TSMC, GlobalFoundries на 2013 EUVL Workshop), то у учёных есть несколько лет для достижения даже меньшего размера транзисторов.


Примечания

  1. ↑ Фоторезист — вещество, используемое в частности при создании микросхем для нанесения шаблона электрических цепей и компонентов на подложку с целью получить соответствующее фотошаблону расположение окон для доступа травящих или иных веществ к поверхности обрабатываемого материала.

Источники


Источник — https://ru.wikinews.org/w/index.php?title=Лаборатория_в_Беркли_разрабатывает_фоторезист_для_увеличенного_разрешения_компьютерных_схем&oldid=311746