Лаборатория в Беркли разрабатывает фоторезист для увеличенного разрешения компьютерных схем: различия между версиями

Материал из Викиновостей, свободного источника новостей
Интерактивная навигация по истории
[непроверенная версия][досмотренная версия]
← Предыдущая правкаСледующая правка →
Содержимое удалено Содержимое добавлено
ВизуальныйВики-текст
Примечания.
оформление, опубликовано. химический высоконаучный прогон во втором абзаце не выверял, но в целом похоже.
Строка 1: Строка 1:
{{рецензировать}}
⚫
{{Химия}}
{{дата|17 июля 2014}}
{{дата|17 июля 2014}}
⚫
{{Химия}}
<!-- [[Файл:|thumb|left|250px|]] Вставьте имя (после слова "Файл: ") и описание (перед символами «]]») файла с Викисклада. -->
[[Файл:TSF27.jpg|thumb|left|250px|Схема изготовления платы]]
[[США|Американские]] [[учёные]], работающие в {{w|Национальная лаборатория имени Лоуренса в Беркли|лаборатории в Беркли}}, с помощью производителя процессоров [[Intel]] разработали новую разновидность {{w|фоторезист}}<ref>'''Фоторезист''' — вещество, используемое в частности при создании микросхем для нанесения шаблона электрических цепей и компонентов на подложку с целью получить соответствующее фотошаблону расположение окон для доступа травящих или иных веществ к поверхности обрабатываемого материала.</ref>, являющуюся смесью двух фоторезистов — с химическим усилением и без химического усиления — и превосходящую в своём качестве их оба. Разрешение фотошаблона составляет 20 нм, в отличие от 24нм и 28 нм исходных составляющих. Журнал «Нанотехнологии» ({{lang-en|[[:w:en:Nanotechnology (journal)|Nanotechnology]]}}) опубликовал статью 15 июля.
[[США|Американские]] [[учёные]] из {{w|Национальная лаборатория имени Лоуренса в Беркли|лаборатории в Беркли}}, с помощью производителя процессоров [[Intel]], разработали новую разновидность [[w:фоторезист|фоторезиста]]<ref>'''Фоторезист''' — вещество, используемое в частности при создании микросхем для нанесения шаблона электрических цепей и компонентов на подложку с целью получить соответствующее фотошаблону расположение окон для доступа травящих или иных веществ к поверхности обрабатываемого материала.</ref>, являющегося смесью двух фоторезистов — с химическим усилением и без химического усиления — и превосходящего в своём качестве их оба. При использовании нового фоторезиста разрешение фотошаблона составляет 20 нм, в отличие от 24 нм и 28 нм для исходных составляющих. Журнал «Нанотехнологии» ({{lang-en|[[:w:en:Nanotechnology (journal)|Nanotechnology]]}}) опубликовал статью об изобретении [[15 июля 2014 года]].

⚫
В процессе {{w|Фотолитография|фотолитографии}} фоторезист растворяется в кислоте за счёт преимущественно {{w|энтальпия|энтальпийных}} (фоторезист с химическим усилением) или {{w|энтропия|энтропийных}} (без химического усиления) механизмов. Учёные исследовали свойства смеси при разных процентных соотношениях. Оказалось, что за счёт объединения таких преимуществ, как механическая стабильность резины с {{w|оксетан}}ом (для сшивки, образования поперечных межцепных связей) и высокая светочувствительность резины с {{w|сложные эфиры|эфир}}ом (метил-адамантан {{w|метакрилат}}), достигается улучшение качества. Шероховатость края линии рисунка уменьшается с 6 нм и 5.5 нм для исходных составляющих до 4 нм для разработанной смеси.


⚫
Как сообщил Поль Эшби, научный сотрудник «[[:w:en:Molecular Foundry|Молекулярной литейной]]» при лаборатории в Беркли, учёные хотят понять механизмы, позволившие добиться повышенного разрешения и низкой шероховатости линий, с целью разработки ещё более качественных резистов на основании полученных результатов. Так как используемое в лаборатории {{w|Фотолитография в глубоком ультрафиолете|ультрафиолетовое излучение с низкой (от 124 нм до 10 нм) длиной волны}} достигнет массового использования в промышленности только к [[2017 год]]у (согласно заявлениям [[Intel]], {{w|TSMC}}, {{w|GlobalFoundries}} на 2013 EUVL Workshop), у учёных есть несколько лет для достижения даже меньшего размера транзисторов.
⚫
В процессе {{w|Фотолитография|фотолитографии}} фоторезист растворяется в кислоте за счёт преимущественно {{w|энтальпия|энтальпийных}} (фоторезист с химическим усилением) или {{w|энтропия|энтропийных}} (без химического усиления) механизмов. Учёные исследовали свойства смеси при разных процентных соотношениях. Оказалось, что за счёт объединения таких преимуществ, как механическая стабильность резины с {{w|оксетан}}ом (для сшивки, образования поперечных межцепных связей) и высокая светочувствительность резины с {{w|сложные эфиры|эфир}}ом (метил-адамантан {{w|метакрилат}}), достигается улучшение качества. Шероховатость края линии рисунка уменьшается с 6нм и 5.5нм для исходных составляющих до 4нм для разработанной смеси.


Учёный полагают, что созданная ими технология сыграет важную роль при переходе полупроводниковой индустрии к 10-нанометровой технологии, что позволит упростить размещения на подложке большего числа элементов и создавать, например, более мощные процессоры с меньшим энергопотреблением.
⚫
Как сообщил Поль Эшби, научный сотрудник [[:w:en:Molecular Foundry|молекулярной литейной]] в {{w|Национальная лаборатория имени Лоуренса в Беркли|лаборатории в Беркли}}, учёные хотят понять механизмы, позволившие добиться повышенного разрешения и низкой шероховатости линий, с целью разработки ещё более качественных резистов на основании полученных результатов. Так как используемое в лаборатории {{w|Фотолитография в глубоком ультрафиолете|ультрафиолетовое излучение с низкой (от 124нм до 10нм) длиной волны}} достигнет массового использования в промышленности только к 2017 году (согласно заявлениям [[Intel]], {{w|TSMC}}, {{w|GlobalFoundries}} на 2013 EUVL Workshop), то у учёных есть несколько лет для достижения даже меньшего размера транзисторов.


{{haveyoursay}}
{{haveyoursay}}
Строка 21: Строка 22:
* {{источник|url=https://newscenter.lbl.gov/2014/07/15/fundamental-chemistry-findings-could-help-extend-moores-law/|Название=Fundamental Chemistry Findings Could Help Extend Moore’s Law|Автор=Kate Greene|Издатель=Национальная лаборатория имени Лоуренса в Беркли|Дата=15 июля 2014}}
* {{источник|url=https://newscenter.lbl.gov/2014/07/15/fundamental-chemistry-findings-could-help-extend-moores-law/|Название=Fundamental Chemistry Findings Could Help Extend Moore’s Law|Автор=Kate Greene|Издатель=Национальная лаборатория имени Лоуренса в Беркли|Дата=15 июля 2014}}
* {{источник|url=http://iopscience.iop.org/0957-4484/25/31/315301|Название=Harnessing entropic and enthalpic contributions to create a negative tone chemically amplified molecular resist for high-resolution lithography |Автор=Prashant K Kulshreshtha, Ken Maruyama, Sara Kiani, James Blackwell, Deirdre L Olynick and Paul D Ashby|Издатель=en:Nanotechnology (journal)|Дата=15 июля 2014}}
* {{источник|url=http://iopscience.iop.org/0957-4484/25/31/315301|Название=Harnessing entropic and enthalpic contributions to create a negative tone chemically amplified molecular resist for high-resolution lithography |Автор=Prashant K Kulshreshtha, Ken Maruyama, Sara Kiani, James Blackwell, Deirdre L Olynick and Paul D Ashby|Издатель=en:Nanotechnology (journal)|Дата=15 июля 2014}}
<!-- * {{источник|url=|Название=|Автор=|Издатель=|Дата=}} -->


{{Категории|GlobalFoundries|Hardware|Intel|TSMC|Инновации|Компьютерные технологии|Нанотехнологии|Наука и технологии|Наука в США|Национальная лаборатория имени Лоуренса в Беркли|Полупроводниковая промышленность|Промышленность|Радиоэлектроника|США|Технологии|Физика|Химия|Экономика|Экономика США}}
<!-- Добавляйте категории разделяя символом "|" -->
{{Категории|Компьютерные технологии|Нанотехнологии|Наука и технологии|США|Физика|Химия}}


{{yes}}
<!-- Комментарии не нужны -->

Версия от 07:26, 18 июля 2014

17 июля 2014 года

Другие новости химии

<dynamicpagelist> category = Опубликовано category = Химия notcategory = Викиновости коротко count = 3 orcer = addcategory suppresserrors = true namespace = Main addfirstcategorydate = true </dynamicpagelist>

Другие новости науки

<dynamicpagelist> category = Опубликовано category = Наука и технологии count = 5 orcer = addcategory suppresserrors = true namespace = Main </dynamicpagelist>

Также посетите портал «Наука»
Файл:TSF27.jpg
Схема изготовления платы

Американские учёные из лаборатории в Беркли, с помощью производителя процессоров Intel, разработали новую разновидность фоторезиста[1], являющегося смесью двух фоторезистов — с химическим усилением и без химического усиления — и превосходящего в своём качестве их оба. При использовании нового фоторезиста разрешение фотошаблона составляет 20 нм, в отличие от 24 нм и 28 нм для исходных составляющих. Журнал «Нанотехнологии» (англ. Nanotechnology) опубликовал статью об изобретении 15 июля 2014 года.

В процессе фотолитографии фоторезист растворяется в кислоте за счёт преимущественно энтальпийных (фоторезист с химическим усилением) или энтропийных (без химического усиления) механизмов. Учёные исследовали свойства смеси при разных процентных соотношениях. Оказалось, что за счёт объединения таких преимуществ, как механическая стабильность резины с оксетаном (для сшивки, образования поперечных межцепных связей) и высокая светочувствительность резины с эфиром (метил-адамантан метакрилат), достигается улучшение качества. Шероховатость края линии рисунка уменьшается с 6 нм и 5.5 нм для исходных составляющих до 4 нм для разработанной смеси.

Как сообщил Поль Эшби, научный сотрудник «Молекулярной литейной» при лаборатории в Беркли, учёные хотят понять механизмы, позволившие добиться повышенного разрешения и низкой шероховатости линий, с целью разработки ещё более качественных резистов на основании полученных результатов. Так как используемое в лаборатории ультрафиолетовое излучение с низкой (от 124 нм до 10 нм) длиной волны достигнет массового использования в промышленности только к 2017 году (согласно заявлениям Intel, TSMC, GlobalFoundries на 2013 EUVL Workshop), у учёных есть несколько лет для достижения даже меньшего размера транзисторов.

Учёный полагают, что созданная ими технология сыграет важную роль при переходе полупроводниковой индустрии к 10-нанометровой технологии, что позволит упростить размещения на подложке большего числа элементов и создавать, например, более мощные процессоры с меньшим энергопотреблением.


Примечания

  1. ↑ Фоторезист — вещество, используемое в частности при создании микросхем для нанесения шаблона электрических цепей и компонентов на подложку с целью получить соответствующее фотошаблону расположение окон для доступа травящих или иных веществ к поверхности обрабатываемого материала.

Источники

Источник — https://ru.wikinews.org/w/index.php?title=Лаборатория_в_Беркли_разрабатывает_фоторезист_для_увеличенного_разрешения_компьютерных_схем&oldid=311750