В Южной Корее придумали гибкие чипы памяти для гибких электронных устройств будущего
7 ноября 2011 года
Корейский институт науки и технологий (Korea Advanced Institute of Science and Technology, KAIST) разработал технологию, позволяющую создавать полнофункциональные микросхемы энергонезависимой резистивной памяти с произвольным доступом (RRAM), обладающие способностью к деформации.
Данные на таких гибких микросхемах могут считываться и записываться в произвольном порядке с приемлемой скоростью, сообщает Компьюлента со ссылкой на PhysOrg.
В будущем микросхемы памяти, изготовленные по новой технологии, могут найти применение в гибких электронных устройствах. О сроках коммерциализации технологии пока, правда, не сообщается.
Чтобы решить справиться с интерференцией между соседними ячейками памяти, специалистам KAIST удалось интегрировать на гибкой пластиковой подложке высокопроизводительный однокристальный кремниевый транзистор и мемристор (пассивный элемент, способный изменять свое сопротивление, мемристоры считаются четвёртым пассивным элементом микросхем после резистора, конденсатора и катушки индуктивности).
Ключевой особенностью элемента данного типа является гистерезис - явление, при котором реакция на воздействие зависит от сил, действовавших ранее, то есть состояние системы определяется её собственной историей.
Ток, проходящий через мемристор, приводит к изменению его атомной структуры, в результате чего сопротивление элемента меняется в тысячу и более раз. Это позволяет использовать элемент в качестве ячейки памяти.
Источники[править]
Любой участник может оформить статью: добавить иллюстрации, викифицировать, заполнить шаблоны и добавить категории.
Любой редактор может снять этот шаблон после оформления и проверки.
Комментарии[править]
Если вы хотите сообщить о проблеме в статье (например, фактическая ошибка и т. д.), пожалуйста, используйте обычную страницу обсуждения.
Комментарии на этой странице могут не соответствовать политике нейтральной точки зрения, однако, пожалуйста, придерживайтесь темы и попытайтесь избежать брани, оскорбительных или подстрекательных комментариев. Попробуйте написать такие комментарии, которые заставят задуматься, будут проницательными или спорными. Цивилизованная дискуссия и вежливый спор делают страницу комментариев дружелюбным местом. Пожалуйста, подумайте об этом.
Несколько советов по оформлению реплик:
- Новые темы начинайте, пожалуйста, снизу.
- Используйте символ звёздочки «*» в начале строки для начала новой темы. Далее пишите свой текст.
- Для ответа в начале строки укажите на одну звёздочку больше, чем в предыдущей реплике.
- Пожалуйста, подписывайте все свои сообщения, используя четыре тильды (~~~~). При предварительном просмотре и сохранении они будут автоматически заменены на ваше имя и дату.
Обращаем ваше внимание, что комментарии не предназначены для размещения ссылок на внешние ресурсы не по теме статьи, которые могут быть удалены или скрыты любым участником. Тем не менее, на странице комментариев вы можете сообщить о статьях в СМИ, которые ссылаются на эту заметку, а также о её обсуждении на сторонних ресурсах.
