В IBM нашли способ дальнейшего уменьшения размеров транзисторов — помогут углеродные нанотрубки
29 октября 2012 года
Ученым из IBM Reasearch, исследовательского подразделения компании IBM, удалось разместить углеродные нанотрубки на поверхности кремниевой пластины и использовать их для создания гибридных чипов с более чем 10 тыс. транзисторов. Создатели новой технологии подчеркивают, что этот способ готов к практическому внедрению, поскольку в нем предусматривается использование доступных химикатов и уже имеющихся возможностей полупроводникового производства.
Напомним, разговоры о том, что углеродные нанотрубки однажды примут в микросхемах эстафету у кремния, ведутся давно. Они считаются перспективной заменой кремнию из-за очень привлекательных электрических характеристик и миниатюрных размеров.
Используя углеродные нанотрубки, можно создавать транзисторы, состоящие в сечении всего из несколько атомов. Электроны перемещаются по углеродным нанотрубкам гораздо легче, чем в кремнии, что позволяет повысить скорость работы транзисторов.
Новое достижение американской компании, позволяющее использовать углеродые нанотрубки в строительстве транзисторов для процессоров, обеспечит уменьшение размеров компьютерных чипов на протяжении следующего десятилетия, сообщает CNews.ru.
Новая технология основана на углеродных нанотрубках, которые давно считались возможной заменой кремнию – материалу, из которого сегодня изготавливаются микроскопические логические элементы для создания микропроцессоров и чипов памяти.
Кроме того, дынный эксперимент обрести уверенность в том, что полупроводниковая индустрия продолжит развиваться еще в течение многих лет, обойдя ограничения закона Мура.
Современный метод, которому следуют более пятидесяти лет, предполагает непрерывное увеличение числа транзисторов на кристаллах кремниевых пластин. Такой подход оформил в виде теории соучредитель Intel Гордон Мур в 1965 году. Он сформулировал закон собственного имени, согласно которому количество транзисторов на кристалле микропроцессора будет удваиваться каждые два года.
Несмотря на доказанную временем эффективность, у "закона Мура" есть предел из-за физических ограничений: количество полупроводников из кремния нельзя увеличивать до бесконечности. Даже если уменьшать их в размерах и располагать ближе друг к другу, это приведет к утечке тока, что вызовет больший расход электроэнергии.
В связи с этим ряд экспертов полагает, что максимальной скорости вычисления интегральная микросхема в ее нынешнем виде достигнет уже через десять лет.
Источники[править]
Любой участник может оформить статью: добавить иллюстрации, викифицировать, заполнить шаблоны и добавить категории.
Любой редактор может снять этот шаблон после оформления и проверки.
Комментарии[править]
Если вы хотите сообщить о проблеме в статье (например, фактическая ошибка и т. д.), пожалуйста, используйте обычную страницу обсуждения.
Комментарии на этой странице могут не соответствовать политике нейтральной точки зрения, однако, пожалуйста, придерживайтесь темы и попытайтесь избежать брани, оскорбительных или подстрекательных комментариев. Попробуйте написать такие комментарии, которые заставят задуматься, будут проницательными или спорными. Цивилизованная дискуссия и вежливый спор делают страницу комментариев дружелюбным местом. Пожалуйста, подумайте об этом.
Несколько советов по оформлению реплик:
- Новые темы начинайте, пожалуйста, снизу.
- Используйте символ звёздочки «*» в начале строки для начала новой темы. Далее пишите свой текст.
- Для ответа в начале строки укажите на одну звёздочку больше, чем в предыдущей реплике.
- Пожалуйста, подписывайте все свои сообщения, используя четыре тильды (~~~~). При предварительном просмотре и сохранении они будут автоматически заменены на ваше имя и дату.
Обращаем ваше внимание, что комментарии не предназначены для размещения ссылок на внешние ресурсы не по теме статьи, которые могут быть удалены или скрыты любым участником. Тем не менее, на странице комментариев вы можете сообщить о статьях в СМИ, которые ссылаются на эту заметку, а также о её обсуждении на сторонних ресурсах.
